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然而大部分研究论文仍然集中在使用常规的表征对材料进行分析，多少一些机理很难被常规的表征设备所取得的数据所证明，多少此外有深度的机理的研究还有待深入挖掘。

而目前的研究论文也越来越多地集中在纳米材料的研究上，网账并使用球差TEM等超高分辨率的电镜来表征纳米级尺寸的材料，网账通过高分辨率的电镜辅以EDX,EELS等元素分析的插件来分析测试，以此获得清晰的图像和数据并做分析处理。此外，信部Vg不仅可以调节基于GaSe的FET的传输特性，还可以调节基于GaSe的忆阻器中的VSET和VRESET，这表明可以应用在低功耗和复杂功能的多端子电子器件。

此外，通查基于GaSe的忆阻器同时显示出长期保留（~104s）和高循环耐久性（~5000次循环）。手机（b）Ag/GaSe/Ag忆阻器的50个实验开关回路。

其中，号关互联号工硒化镓（GaSe）是p型半导体，其间接带隙大约为2.0eV，直接带隙不小于25meV。多少图三：基于GaSe的忆阻器一周后的电阻开关行为（a）2V工作电压下GaSe忆阻器的I-V特征曲线。